5月9日下午，应我院邀请，中国科学院大学邓惠雄研究员为我院师生作了题为“宽带隙半导体的掺杂与光电性能研究”的学术报告，我院相关教师及研究生参加了此次报告会。
宽禁带半导体在大功率电力电子器件、大功率激光器，半导体照明，紫外探测器等领域有着极为重要的应用前景。宽禁带半导体，如：GaN，ZnO，Ga2O3等, 由于其能隙大，往往存在双极掺杂困难问题，即：只能实现一种掺杂类型，或者是n型或者是p型，但难以同时实现二者，这就极大地限制了其应用。如何提高宽禁带及超宽禁带半导体中的双极掺杂已成为该领域的一个主要问题。基于此，邓惠雄研究员突破以前基于热力学平衡发展起来的掺杂与缺陷理论，发展了光照等热力学非平衡掺杂及缺陷理论等新机制，解决了超宽禁带半导体p型掺杂困难瓶颈难题。
会后，邓惠雄研究员与我院教师以及学生就如何提高宽禁带及超宽禁带半导体中的双极掺杂问题展开深入讨论与交流。
专家简介：
邓惠雄，博士，研究员，国科大岗位教授，博士生导师。2010年毕业于中国科学院半导体研究所。2011年至2014年初，在美国再生能源国家实验室 (NREL) 从事博士后研究。2014年2月回到中科院半导体所半导体超晶格国家重点实验室。2019年获得国家自然科学基金委优秀青年科学基金资助，2021年入选中科院青促会优秀会员。长期从事半导体物理、半导体缺陷物理、半导体材料与器件的物性探究与设计等领域的研究工作。迄今已经在Science、Nat. Energy、Phys. Rev. Lett.、Nat. Comm.、Adv. Mater.、Phys. Rev. B等期刊上发表SCI论文90多篇。
（物理学院 张随财）