非晶硅薄膜太阳能电池关键技术研究
实验室利用等离子增强化学沉积设备（PECVD）在不同衬底上制备硅薄膜。研究优化沉积条件（温度、压强、功率、速率）和光学带隙之间的关系，在柔性衬底上制备非晶叠层电池。实验室可制备大面积（20*20cm）、均匀、光伏性能良好的非晶薄膜。增加非晶硅电池窗口层的光学带隙，促进本征层中光生载流子收集，提高电池的开路电压。改变沉积压强和温度，制备宽光学带隙的P层，优化P\I界面和I\N界面制备非晶硅电池，其Voc、FF分别是923mV/66.7%,非晶硅电池的效率是8.47%。