应我院邀请，复旦大学丁士进教授于12月15日上午10：30在物理北楼C-208举行题为《原子层沉积氧化物半导体薄膜晶体管及其在2T0C DRAM中的应用》的专题学术讲座。学院负责人、师生代表50余人参加讲座。讲座由副院长王芳主持。
丁士进教授首先介绍了原子层沉积氧化铟、掺杂氧化铟（In-Sn-O、In-Zn-Al-O）的FET性能研究现状；其次展示了团队在器件的工艺温度稳定性及其改善技术方面的研究成果；最后展示了基于掺杂氧化铟（InZnAlO）沟道的FET在2T0C DRAM中的应用成果，为实现纳秒级写入速度、超长数据保持时间、超强编程/擦除耐受能力和多态存储特性提供了新的思路。
讲座结束后，青年教师和研究生就讲座内容及该研究方向热点问题向丁士进教授进行了提问。丁士进教授对所提问题均做了详细解答，并对该领域的研究热点进行了展望。
（
文 徐世周）
丁士进，男，复旦大学特聘教授（二级教授）、博士生导师，任职于复旦大学微电子学院，兼任嘉善复旦研究院副院长。2001 年10月至2004年12月曾先后在德国基尔（Kiel）大学做洪堡学者、新加坡国立大学任研究员（Research Fellow）。2005年3月起，正式加入复旦大学，被聘为副教授；2008年4月晋升为教授，2016年入选二级教授。曾获上海市浦江人才计划、教育部新世纪优秀人才支持计划、上海市技术发明二等奖。作为负责人，主持了科技部“863”项目（1项）、国家自然科学基金项目（6项）、02科技重大专项课题（3项）等纵向科研项目16项。作为发起人，担任了四届国际原子层沉积应用会议主席（2012-2018）、10届中国原子层沉积会议组委会主席（2011-2023）；担任美国真空协会（AVS）第 19-22 届国际原子层沉积会议程序委员会委员。担任中国集成电路材料产业技术创新联盟专家咨询委员会委员（2023-2027）和华为技术有限公司技术顾问。担任国家自然科学奖、科技进步奖、国家自然科学基金委重点研发计划、重大项目、面上项目、优青、海优评审专家。至今已发表SCI 论文200余篇，包括在电子器件领域顶级期刊 IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices上发表论文30余篇。获美国、欧盟、中国授权发明专利40余项。